Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜ＳｉＯ２膜エッチング装置の競争が激化　東京エレクトロンに海外勢が迫る
日経マイクロデバイス　第245号　2005.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第245号（2005.11.1）
ページ数	2ページ　（全3163字）
形式	PDFファイル形式　（241kb）
雑誌掲載位置	86〜87ページ目

　東京エレクトロンが７０％近いシェアを持つといわれるＳｉＯ２膜エッチング装置の市場に，米Ｌａｍ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｃｏｒｐ．，米Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，　Ｉｎｃ．（ＡＭＡＴ）が攻勢をかけている。最大の理由は，この市場が装置メーカーにとってシェアを拡大する絶好のチャンスになることである。１０億米ドルを超えるエッチング装置市場は，年平均成長率が数％と予想されているが，ＳｉＯ２系エッチング装…