Ｔｕｔｏｒｉａｌ〜ＤＦＭ最前線：原子のバラつきには ナノ物理ベースの設計が必須に “非プレーナ型”ＦＥＴで特性への影響を緩和
日経マイクロデバイス 第244号 2005.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第244号（2005.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全6908字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （520kb） |
| 雑誌掲載位置 | 100〜105ページ目 |
Ａｓｅｎ Ａｓｅｎｏｖ 英Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｇｌａｓｇｏｗ Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ「原子レベルのバラつき」に対処する手法を，英Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｇｌａｓｇｏｗ教授のＡｓｅｎ Ａｓｅｎｏｖ氏が提案する。加工寸法が原子スケールに達したＭＯＳ ＦＥＴは，その特性が素子間でバラつく。その原因は，不純物…
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