Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜東芝がショットキ・ソース・ドレイン技術で １世代分の性能向上を達成
日経マイクロデバイス 第242号 2005.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第242号（2005.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全263字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （262kb） |
| 雑誌掲載位置 | 117ページ目 |
東芝は，低抵抗の金属ソース・ドレイン技術であるショットキ・ソース・ドレインを使ったトランジスタ技術を開発し，その性能改善効果を示した。「２００５ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」で発表した（講演番号９Ａ−３）。今回はゲート長が５０ｎｍ級のトランジスタを試作し，通常のソース・ドレイン技術を使った場合に比べて，オフ電流を一定にした場合にオン電流を約２０％改善できることを確認…
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