Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜東芝とソニー ４５ｎｍ向け混載ＤＲＡＭ技術を共同開発
日経マイクロデバイス 第242号 2005.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第242号（2005.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全419字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （262kb） |
| 雑誌掲載位置 | 116ページ目 |
東芝とソニーが４５ｎｍノード（ｈｐ６５）向けの混載ＤＲＡＭプロセスを共同開発し，「２００５ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」で発表した（講演番号２−２）。大きく三つの技術を導入することによって，セル寸法０．０６９μｍ２を達成している。それは，（１）キャパシタ絶縁膜に高誘電率のＡｌ２Ｏ３の導入，（２）素子分離にＳＯＤ（ｓｐｉｎ ｏｎ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）と高密度プラズマ…
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