ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜ＳａｍｓｕｎｇがＰＲＡＭを大容量化 ２５６Ｍビットを実現
日経マイクロデバイス 第239号 2005.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第239号（2005.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全286字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （50kb） |
| 雑誌掲載位置 | 87ページ目 |
２００５年６月１４〜１８日に京都で開催する「２００５ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」で，韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．は２５６Ｍビットに大容量化したＰＲＡＭ（ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）を発表する（論文番号６Ｂ−２）。大容量化は，ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を２段階に分けて行う「２ステップＣ…
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