Ｉｎｓｉｄｅ　ＬＳＩ　囲み　６５ｎｍ以降のひずみＳｉ技術，複数応力の併用が主流に〜５０年前に解明した現象　次世代ロジックで花開く
日経マイクロデバイス　第239号　2005.5.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第239号（2005.5.1）
ページ数	2ページ　（全2352字）
形式	PDFファイル形式　（142kb）
雑誌掲載位置	58〜59ページ目

　Ｓｉ結晶にひずみを与えることによって電気伝導が変化する現象は，約５０年前に注目され，その後原理が解明された経緯がある。現在，量産化が進んでいるひずみＳｉ技術は，その原理をＬＳＩレベルで応用した結果といえる。原点はピエゾ抵抗効果　半導体におけるキャリヤの移動度は，キャリヤが受ける散乱の影響によって決まる。結晶に機械的なひずみを加えると，格子間隔が変わるので結晶内部のポテンシャル・エネルギーが変化す…