Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ ６５ｎｍ以降のひずみＳｉ技術，複数応力の併用が主流に〜６５ｎｍ以降のひずみＳｉ技術 複数応力の併用が主流に
日経マイクロデバイス 第239号 2005.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第239号（2005.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全6071字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （142kb） |
| 雑誌掲載位置 | 55〜60ページ目 |
ひずみＳｉ技術の６５〜４５ｎｍノード（ｈｐ９０〜ｈｐ６５）に向けた進化の方向が見えてきた。これまで，ｎＭＯＳではキャップ層，ｐＭＯＳではソース・ドレイン部などと，ひずみを与える要素はトランジスタごとに１種類としていた。今後６５〜４５ｎｍでは，複数の要素を組み合わせてひずみを生じさせる。これによって，より大きなひずみを生み出し，高い移動度を実現する。そのカギを握るのは，エピタキシャル成長やＣＶＤ（化…
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