Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ 囲み ６５ｎｍ以降のひずみＳｉ技術，複数応力の併用が主流に〜エピで量産装置を確立 圧力制御し選択性を改善
日経マイクロデバイス 第239号 2005.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第239号（2005.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1322字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （142kb） |
| 雑誌掲載位置 | 61ページ目 |
エピタキシャル成長技術を使ったひずみＳｉ ＬＳＩの量産装置を開発した（図Ｂ−１）。もともと，エピタキシャル成長装置はバイ−ＣＭＯＳプロセスで製造するＨＢＴ（ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）向けに使われており，装置の設置台数はこれまでに２００〜３００台に達している。この技術が，ＣＭＯＳの量産プロセスにも適用できることが明確になった。ｐＭＯＳ，ｎＭＯＳの特性を独立…
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