ＷＥＢ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜「０．４４Ｖでも動く」低電圧に強い新型ＳＲＡＭ　ＮＥＣとＮＥＣエレが共同開発
日経マイクロデバイス　第238号　2005.4.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第238号（2005.4.1）
ページ数	2ページ　（全482字）
形式	PDFファイル形式　（52kb）
雑誌掲載位置	106〜107ページ目

　０．４４Ｖという極めて低い電圧でも動作するＳＲＡＭ技術を，ＮＥＣとＮＥＣエレクトロニクスが共同開発し，「２００５　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ　Ｃｉｒｃｕｉｔｓ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＩＳＳＣＣ　２００５）」で報告した。今回の技術は７トランジスタ構成にすることで実現した。ｎＭＯＳのしきい電圧を低く設定して書き込みマージンを広げると共に高速化を図り，６トランジスタ構成のＳＲＡ…