ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜日立とルネサス ０．８Ｖ動作の９０ｎｍ ＳＲＡＭを共同開発
日経マイクロデバイス 第238号 2005.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第238号（2005.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全347字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （52kb） |
| 雑誌掲載位置 | 107ページ目 |
日立製作所とルネサス テクノロジは，０．８Ｖの低電圧動作が可能な９０ｎｍノードのＳＲＡＭ技術を共同開発した。ＳＲＡＭセルへの書き込みを行う際に，セル内のデータ保持用トランジスタの電源配線をフローティング状態にすると，データ保持トランジスタの電源電圧が低下してデータ保持能力が弱くなり，書き込みやすい状態となる。この結果，書き込みマージンが改善され，最低動作電圧を０．１Ｖ下げることができた。このほか…
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