Report[LSI]〜東芝が2007年にウエーハ面積2倍 それでも需要に追いつかないNAND
日経マイクロデバイス 第238号 2005.4.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第238号(2005.4.1) |
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ページ数 | 2ページ (全2199字) |
形式 | PDFファイル形式 (94kb) |
雑誌掲載位置 | 97〜98ページ目 |
東芝が,四日市工場の新製造ライン「Fab3」を稼働させ,2007年のNAND型フラッシュ・メモリーの量産規模をウエーハ面積で現在の2倍にする計画を明らかにした(図1)。 新設したFab3は2層構造として敷地を節約し,次の工場“Fab4”を建設できるスペースを確保している。5階建てであり,1〜2階の下層,4〜5階の上層の2層に分かれる。3階は「メガトラス」と呼ぶ斜め柱で上層を支える構造を採用した。…
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