Report[LSI] 囲み 導入進むプラズマ酸窒化装置,10社を超えるLSIメーカー〜低電子温度の高密度プラズマで 熱プロセス超える高品質化を達成
日経マイクロデバイス 第238号 2005.4.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第238号(2005.4.1) |
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ページ数 | 2ページ (全1455字) |
形式 | PDFファイル形式 (131kb) |
雑誌掲載位置 | 102〜103ページ目 |
熱プロセスを超える高品質化・高信頼化を達成できる「RLSA(radial line slot antenna)」プラズマ酸窒化装置を開発した(図A,B)。プラズマはチャンバ上部にある誘電体天板の直下でのみ発生し,イオンや電子,励起種は拡散によってウエーハに到達する。このため,ウエーハ上では1eV以下の低電子温度と1012cm−3レベルの高密度プラズマを無磁場で同時に達成できる。1年以上メンテナン…
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