Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ とびら フラッシュにコストで挑む〜フラッシュにコストで挑む
日経マイクロデバイス 第238号 2005.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第238号（2005.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全936字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （179kb） |
| 雑誌掲載位置 | 37ページ目 |
フラッシュ・メモリーを上回るコスト競争力を持つ新型不揮発性メモリーが，ここへ来て再び注目を集めている。特に高い関心を呼んでいるのが，これまでの半導体の常識を覆すような動作原理や構造を使うＲＲＡＭ（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ），３次元メモリー，ＰＲＡＭ（ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）である。フラッシュの微細化限界が訪れる前に市場で競合する。（大下 淳一）コストでフラッシュに対抗できる新型メモリー…
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Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ フラッシュにコストで挑む〜コストでフラッシュに対抗できる 新型メモリーが実用化へ前進
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