Ｉｎｓｉｄｅ　ＬＳＩ　第５回低誘電率層間絶縁膜（３）〜第５回　低誘電率層間絶縁膜（３）　プラズマ技術を駆使し　ポーラスｌｏｗ−ｋ膜の損傷防ぐ
日経マイクロデバイス　第237号　2005.3.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第237号（2005.3.1）
ページ数	4ページ　（全4537字）
形式	PDFファイル形式　（152kb）
雑誌掲載位置	51〜54ページ目

大橋　直史半導体先端テクノロジーズ（Ｓｅｌｅｔｅ）ｈｐ６５以降で必須とされているポーラス低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）膜は，通常のプロセスで加工すると膜が変形・変質してしまう。このような問題を解決するために，ポーラスｌｏｗ−ｋ膜へのダメージを抑制するプロセス技術が欠かせない。前回は低ダメージのＣＭＰ（化学的機械研磨）技術を紹介したが，最終回となる今回はレジスト除去やＣｕ埋め込みといったプロセスを採り上げる…