Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜プラズマＣＶＤ装置「ＭＡＰＬＥ−３００」
日経マイクロデバイス 第231号 2004.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第231号（2004.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全533字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （78kb） |
| 雑誌掲載位置 | 102ページ目 |
液晶プロジェクタ用の高温多結晶Ｓｉ（ｐ−Ｓｉ）ＴＦＴ液晶パネルの多品種・少量生産に対応したプラズマＣＶＤ装置（図２）。高温ｐ−Ｓｉ ＴＦＴの絶縁膜形成では，従来のバッチ処理に代わり，多品種・少量生産に向く枚葉処理が可能なプラズマＣＶＤ装置が求められていた。しかし，従来の半導体向けのプラズマＣＶＤ装置ではプラズマ領域と基板との距離が短いため，基板温度が４００〜６００℃と高くなり，ＴＦＴや配線が熱で…
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