Ｉｎｓｉｄｅ　ＬＳＩ　第１回高誘電ゲート絶縁膜（１）〜第１回　高誘電率ゲート絶縁膜（１）　「ＨｆＳｉＯｘ　ｖｓ．　ＨｆＡｌＯｘ」　ｈｉｇｈ−ｋの本命争いが激化
日経マイクロデバイス　第231号　2004.9.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第231号（2004.9.1）
ページ数	6ページ　（全7233字）
形式	PDFファイル形式　（167kb）
雑誌掲載位置	63〜68ページ目

有門　経敏，北島　洋，鳥居　和功半導体先端テクノロジーズ（Ｓｅｌｅｔｅ）　第一研究部「いかに材料を操るか」−−。これが次世代ＬＳＩ開発を成功させるカギになる。微細化と共に，今後ＬＳＩに使われる材料の種類は急速に増えていくためである。特に，高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜と低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁膜は，ＬＳＩ性能に大きなインパクトを与える。本誌では，このような新材料技術の開発で世界をリード…