Ｋｅｙ Ｗｏｒｄ〜『ポスト・パッシベーション・プロセス』
日経マイクロデバイス 第231号 2004.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第231号（2004.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1139字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （27kb） |
| 雑誌掲載位置 | 13ページ目 |
「ポスト・パッシベーション・プロセス（ＰＰＰ）」がＬＳＩに付加価値を与える第３のプロセスとして注目を集めている。ＬＳＩの歴史が始まって以来，製造プロセスはＳｉウエーハに回路を形成するウエーハ・プロセスと，ウエーハを切断し，外部端子を形成して樹脂封止するパッケージング・プロセスの大きく二つだった。第３のプロセスは，ウエーハ・プロセスを経てパッシベーション膜を形成した直後に，ウエーハ上に配線層や素子…
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