ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜最新のＤＲＡＭ技術が勢ぞろい ６Ｆ２／セル技術や キャパシタレス技術など
日経マイクロデバイス 第230号 2004.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第230号（2004.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全460字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （98kb） |
| 雑誌掲載位置 | 102ページ目 |
「２００４ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」では，ＤＲＡＭ技術に関する発表が相次いだ。韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．は，７０ｎｍノードのセルについて発表した。従来のスタック・セル構造をシュリンクしつつ，Ｗ／多結晶Ｓｉデュアル・ゲート，ｂａｒ−ｔｙｐｅセル・コンタクト，ＭＩＭキャパシタなどの新規技術を採用している。スタック・キャパシタの高さ…
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