ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜動作限界の壁に挑むＳＲＡＭ技術 問題解決に向けたアイデアが続出
日経マイクロデバイス 第230号 2004.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第230号（2004.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全368字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （98kb） |
| 雑誌掲載位置 | 102ページ目 |
ＬＳＩの機能ブロックの中で最初に動作限界の危機が訪れるのはＳＲＡＭだろうと推測されている。６月開催の「２００４ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ」では，この問題に取り組んだ論文が発表された。そのアイデアには，（１）待機時にセルの接地電圧を上げてリーク電流を減らす，（２）（１）に加え，動作時に選択セル列の電源電圧を動的に上げてセルの動作安定性を高め，動作速度を向上させる技術を併…
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