Ｉｎｓｉｄｅ Ｍｅｍｏｒｙ〜次世代露光は液浸に決まり
日経マイクロデバイス 第226号 2004.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第226号（2004.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全4207字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （330kb） |
| 雑誌掲載位置 | 77〜80ページ目 |
次世代の露光技術が，液浸ＡｒＦエキシマ・レーザー露光にほぼ固まった。少なくともハーフピッチ（ｈｐ）６５ｎｍへの導入は「ほぼ確定的」と多くの露光技術者が指摘している。ＬＳＩ設計に工夫を施せばｈｐ４５ｎｍへの導入も可能とされている。ほんの１年前までは，液浸技術の実現を疑問視する露光技術者がほとんどだった。しかし，ここへ来て技術的な課題が整理され，解決の方向性が見えてきた。これによって，実用化への道が急…
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