ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜ＮＡＮＤ型で４０ｎｍの３２Ｇビット品 できることは「確認済み」 東芝が明言
日経マイクロデバイス 第224号 2004.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第224号（2004.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全318字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （124kb） |
| 雑誌掲載位置 | 85ページ目 |
東芝は，ＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーの微細化を少なくとも４０ｎｍまでは進められることを確認したと，「第２回半導体メモリー・シンポジウム」の基調講演で述べた。講演した同社セミコンダクター社メモリ事業部フラッシュメモリ事業戦略部部長の小林清志氏は，２００６年に５５ｎｍで多値の１６Ｇビット品，２００７年に４０ｎｍで多値の３２Ｇビット品を製品化する計画を示した。これまで，フラッシュの微細化を４０ｎｍ以…
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