ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜浮遊ゲートにＳｉ微結晶使った 新型メモリーが続出
日経マイクロデバイス 第224号 2004.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第224号（2004.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全714字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （124kb） |
| 雑誌掲載位置 | 86ページ目 |
今年の「２００３ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（２００３ ＩＥＤＭ）」では，メモリーの論文が増加したことが大きな特徴として挙げられるが，その中でも特に論文数の増加が目立ったのはＳｉ微結晶メモリーである。これは，フラッシュ・メモリーの浮遊ゲートを多数のＳｉ微結晶に置き換えた構造を持つ。２００２年のＩＥＤＭでは，東京大学から発表が１件あったのみだが，２…
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