ＷＥＢ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｌｏｇｉｃ］〜「２００３　ＩＥＤＭ」で　ゲート長２５ｎｍの　高性能ＣＭＯＳデバイスが登場
日経マイクロデバイス　第224号　2004.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第224号（2004.2.1）
ページ数	1ページ　（全256字）
形式	PDFファイル形式　（125kb）
雑誌掲載位置	83ページ目

　「２００３　ＩＥＤＭ」の「Ａｇｇｒｅｓｓｉｖｅｌｙ　Ｓｃａｌｅｄ　Ｐｌａｎａｒ　Ｄｅｖｉｃｅｓ」のセッションでは，主に９０ｎｍおよび６５ｎｍノードの高性能ＣＭＯＳデバイス技術が発表された。ゲート長は６５ｎｍノードで２５ｎｍまで微細化されている発表があり，量産レベルでの微細化が加速しそうな勢いである。ここでも，プロセス中のひずみを制御する技術が目立った。また，７件の発表のうち，ＳＯＩデバイスが３件…