ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｌｏｇｉｃ］〜米Ｉｎｔｅｌが ９０ｎｍ向けひずみＳｉ ＣＭＯＳの構造を明らかに
日経マイクロデバイス 第224号 2004.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第224号（2004.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全480字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （125kb） |
| 雑誌掲載位置 | 83ページ目 |
「２００３ ＩＥＤＭ」の「Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ ａｎｄ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ」のセッションにおいて，米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．は９０ｎｍノードに使うひずみＳｉ ＣＭＯＳの構造を明らかにした。論文タイトルは，「Ａ ９０ｎｍ ｈｉｇｈ ｖｏｌｕｍｅ ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ ｌｏｇｉｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｆｅａｔｕｒｉｎｇ ｎｏｖｅｌ ４５ｎｍ ｇａｔｅ ｌｅｎｇｔｈ ｓ…
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