ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｌｏｇｉｃ］〜ｈｉｇｈ−ｋによる 移動度劣化のメカニズムを議論
日経マイクロデバイス 第224号 2004.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第224号（2004.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全274字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （125kb） |
| 雑誌掲載位置 | 84ページ目 |
「２００３ ＩＥＤＭ」の「Ｄｅｖｉｃｅ Ｐｈｙｓｉｃｓ ａｎｄ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ」のセッションでは，先端ＣＭＯＳデバイスにおけるさまざまな物理現象が議論された。特に注目を集めたのは，高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）材料をゲート絶縁膜に用いたＭＯＳトランジスタにおける移動度劣化のメカニズムに関する考察である。ＭＯＳトランジスタがナノの領域に微細化されて種々の新材料が導入されるにつれ，デバ…
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