Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｌｏｇｉｃ］〜米Ｉｎｔｅｌのトライ・ゲート・トランジスタ 「研究から開発の段階へ」
日経マイクロデバイス 第218号 2003.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第218号（2003.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全251字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （100kb） |
| 雑誌掲載位置 | 101ページ目 |
米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．は，京都で開かれている「２００３ Ｓｙｍｐｏｓｉａ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ」に合わせ，トランジスタやＣＭＯＳ無線技術，回路設計に関する最新の技術成果を報告した。トランジスタに関しては，同社が研究を進めていた非プレーナ型ＦＥＴ「トライ・ゲート・トランジスタ」が研究の段階を終え，開発のフェーズに入ったと宣言した。現在，４５ｎｍノード向け…
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