Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ６〜ＳｉＣか放熱か 大電流駆動で開発競争激化
日経マイクロデバイス 第217号 2003.7.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第217号（2003.7.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全5409字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （140kb） |
| 雑誌掲載位置 | 59〜62ページ目 |
ＳｉＣデバイスの開発と製品化が加速している。すでに独Ｉｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ ＡＧが製品化しているが，ここへ来て伊仏ＳＴ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社が２００４年初めに量産化することを決めた。コスト・アップの要因を解消できる製造技術の開発が進んでおり，今後さらに参入が続く可能性は高い。その一方，既存のＳｉデバイスを高温下で大電流駆動できるようにするための放熱技術の進化は続い…
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