論文［ＬＳＩ製造］〜絶縁膜トラップ型メモリー　既存フラッシュの後継狙う
日経マイクロデバイス　第216号　2003.6.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第216号（2003.6.1）
ページ数	6ページ　（全6362字）
形式	PDFファイル形式　（261kb）
雑誌掲載位置	85〜90ページ目

絶縁膜トラップ型メモリーの開発が盛んになってきた。キッカケを作ったのは，イスラエルＳａｉｆｕｎ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ　Ｌｔｄ．が開発した「ＮＲＯＭ」だが，内外の大手メーカーも一斉に開発を始めた。米Ｍｏｔｏｒｏｌａ，　Ｉｎｃ．，韓国Ｓａｍｓｕｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｃｏ．，Ｌｔｄ．，東芝などである。各社が狙うのは，メモリー・カード向けに市場を拡大するＮＡＮＤ型フラッシュや，ＮＯＲ型フラ…