論文［ＬＳＩ製造］〜配線の物理限界に挑戦 四つの基幹技術を一新
日経マイクロデバイス 第212号 2003.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第212号（2003.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 10ページ （全12336字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （508kb） |
| 雑誌掲載位置 | 123〜132ページ目 |
ここへ来て見えてきた配線の物理限界を一気に解決するため，配線の四つの基幹技術である材料，製造装置，プロセス，評価分析のすべてを，半導体ＭＩＲＡＩプロジェクトが一新する。材料と装置に関し，低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）化と機械的強度維持の両立で，すでに成果が出始めた。今後はこれらの一層の改善に加え，プロセス技術と評価分析技術の開発を進める。今回の組織は，四つの基幹技術を１カ所に集中させた産学官連携であり，国…
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