技術レター［ＬＳＩ製造］〜米ＡＭＤと米ＩＢＭが提携　６５〜４０ｎｍプロセス技術で　２００５年に製品化
日経マイクロデバイス　第212号　2003.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第212号（2003.2.1）
ページ数	1ページ　（全282字）
形式	PDFファイル形式　（64kb）
雑誌掲載位置	35ページ目

提携ＳＯＩｌｏｗ−ｋ　米Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｍｉｃｒｏ　Ｄｅｖｉｃｅｓ，　Ｉｎｃ．（ＡＭＤ）と米ＩＢＭ　Ｃｏｒｐ．は，３００ｍｍウエーハを使う６５〜４５ｎｍプロセスの共同開発で提携した。ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　ｉｎｓｕｌａｔｏｒ），Ｃｕ配線，低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁膜を駆使し，マイクロプロセサの性能向上と低消費電力化を目指す。６５ｎｍプロセスを使った最初の製品は，２００５年に登場する。こ…