技術レター［ＬＳＩ製造］〜２５ｎｍプロセスの歪みＳｉ 米ＡＭＤと米ＡｍｂｅｒＷａｖｅが 発表，Ｇｅ濃度は２０％
日経マイクロデバイス 第212号 2003.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第212号（2003.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全309字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （64kb） |
| 雑誌掲載位置 | 35ページ目 |
歪みＳｉＳＯＩｌｏｗ−ｋ ゲート長２５ｎｍの歪みＳｉ ＣＭＯＳを米Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｖｉｃｅｓ， Ｉｎｃ．（ＡＭＤ）と米ＡｍｂｅｒＷａｖｅ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｃｏｒｐ．が，ＳｉＧｅ技術の国際会議「１ｓｔ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＳｉＧｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｄｅｖｉｃｅ Ｍｅｅｔｉｎｇ（ＩＳＴＤＭ）」で共同発表した。Ｇｅ濃度２０％の緩和ＳｉＧｅ層を持つバルク歪みＳｉ基板…
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