連載［マニュファクチャリング］ 囲み〜プロフェッショナルの目 次世代のｌｏｗ−ｋ材料は？
日経マイクロデバイス 第210号 2002.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第210号（2002.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全412字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （200kb） |
| 雑誌掲載位置 | 188ページ目 |
最先端ＬＳＩの微細化の進行に比べて，ＳｉＯＦ，ＳｉＯＣ（ｋ値３．５前後）に次ぐｌｏｗ−ｋ材料の実用化が大幅に遅れている。次世代のｋ値として２に近い値を狙うなら，ポーラスな膜が必要である（表Ａ）。当然ながら，高い密度の無機のＳｉＯ２系の材料とは，機械的強度，Ｃｕ配線との密着性など材料面では大きく異なる。超低誘電体材料の膜特性を生かし，信頼性の高いＣｕ配線技術として実用化するためには技術的な困難さも…
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