論文［ＬＳＩ製造］〜新ＬＳＩ技術体系 ＭＩＲＡＩの挑戦
日経マイクロデバイス 第210号 2002.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第210号（2002.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全11412字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （408kb） |
| 雑誌掲載位置 | 163〜170ページ目 |
（１）ｈｉｇｈ−ｋゲート酸化膜換算１ｎｍへＭＯＳ技術そのものを見直すｈｉｇｈ−ｋ技術は，単なる材料技術ではなく，４０年間培ってきたＭＯＳ技術そのものを見直す総合技術である。このようなスタンスで，ＬＳＩのデバイス・プロセス技術体系の刷新にＭＩＲＡＩが挑戦する。初めからインテグレーションを前提にした材料開発を進めており，酸化膜換算１ｎｍの実現に向けて材料，成膜法，デバイス構造，欠陥検出・制御について詳…
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