連載［マニュファクチャリング］〜Ｃｕと超低誘電率材料の ＣＭＰによる集積化
日経マイクロデバイス 第210号 2002.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第210号（2002.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全6287字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （200kb） |
| 雑誌掲載位置 | 187〜190ページ目 |
ＣＭＰＣｕ配線材料設計ルールが９０ｎｍ以下のデバイスにポーラス低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）材料を導入するためには，薄膜の機械的性質と密着性の両方を考慮しながら集積化の要求条件を満たす必要がある。これには，ＣＭＰ（化学的機械研磨）が有効になる。しかし，従来以上に厳しくなる平坦化などの必要条件に加え，ＣＭＰプロセスでは膜のはく離が大きな問題になる。これらの対策を施すとともに，希望する膜上で研磨を停止させるこ…
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