特集 Ｐａｒｔ１〜ＬＳＩの開発例● ＤＰＧＡの利点をＦｅＲＡＭで引き出す
日経マイクロデバイス 第210号 2002.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第210号（2002.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全4669字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （307kb） |
| 雑誌掲載位置 | 144〜147ページ目 |
富士通研究所シリコンテクノロジー研究所 メモリーデバイス研究部桝井 昇一大浦 道也富士通 ＬＳＩ事業本部 ＦＲＡＭ事業部二野宮 鼓横関 亘向田 健二川嶋 将一郎 強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）を内蔵したＤＰＧＡ（ｄｙｎａｍｉｃ ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｇａｔｅ ａｒｒａｙ）を開発した１１）（図１１）。ＤＰＧＡは，動的再構成可能なゲート・アレイであり，一つの論理ブロックを時分割によって複数の回路と…
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