μレポート［ＬＳＩ設計］〜米Ｉｎｔｅｌの大容量フラッシュ　携帯電話市場攻略の　次なる武器は低コスト化
日経マイクロデバイス　第210号　2002.12.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第210号（2002.12.1）
ページ数	2ページ　（全2521字）
形式	PDFファイル形式　（150kb）
雑誌掲載位置	50〜51ページ目

フラッシュ・メモリー大容量化ＳｉＰフラッシュ・メモリー最大手の米Ｉｎｔｅｌ　Ｃｏｒｐ．が，ＳｉＰ（ｓｙｓｔｅｍ　ｉｎ　ｐａｃｋａｇｅ）技術を使って最大４チップを積層できる１Ｇビット品を開発した。多機能化が進む携帯電話機の市場に狙いを定め，１．８Ｖで動作可能にした。ますます強くなる低コスト化の要求には，２ビット／セルの多値技術で応える。将来に向けたコスト低減にも抜かりはない。フラッシュ・メモリーを低…