技術レター［ＬＳＩ設計］〜Ｓｉベースの コンデンサを 米Ｖｉｓｈａｙが開発
日経マイクロデバイス 第209号 2002.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第209号（2002.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全278字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （72kb） |
| 雑誌掲載位置 | 60ページ目 |
コンデンサ受動部品高周波 電子部品大手の米Ｖｉｓｈａｙ Ｉｎｔｅｒｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ．は，Ｓｉを使ったコンデンサを開発した。既存のコンデンサは，導電体にＡｌやＣｕ，Ｎｉなどの金属，これらを酸化させた材料を誘電体に使うのが一般的である。ＬＳＩにキャパシタを形成した例はあるが，個別部品としてＳｉを使ったコンデンサを製品化するのは業界初である。ＬＳＩの製造プロセスを用いて量産する。Ｓｉを使う…
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