技術レター［ＬＳＩ製造］〜ＭＲＡＭとＦｅＲＡＭの 発表が相次いだ 「２００２ ＳＳＤＭ」
日経マイクロデバイス 第209号 2002.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第209号（2002.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全732字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （64kb） |
| 雑誌掲載位置 | 61ページ目 |
学会ＭＲＡＭ強誘電体メモリー ＭＲＡＭと強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）の発表が，「２００２ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ ＆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（２００２ ＳＳＤＭ）」の不揮発性メモリー技術のセッションに相次いだ。 ソニーは，アモーファスの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）材料を用いた１トランジスタＭＴＪ ＭＲＡＭ技術について招待講演した。０．３５μｍのＣＭＯＳ技術を使い，０…
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