技術レター[LSI製造]〜トランジスタの微細化 4nm以降は 量子トンネルが制約
日経マイクロデバイス 第209号 2002.11.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第209号(2002.11.1) |
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ページ数 | 1ページ (全364字) |
形式 | PDFファイル形式 (64kb) |
雑誌掲載位置 | 61ページ目 |
トランジスタ微細化研究・開発 英University of Glasgowの教授でデバイス・モデリングが専門のAsen Asenov氏は本誌のインタビューに応じ,今後の微細化に対する見方を示した。同氏のグループが実施したシミュレーション結果を基に,「4nm以降はソース・ドレインの量子トンネル効果が制約になる」と指摘する。同氏は米IBM Corp.や米航空宇宙局(NASA)と協力して,デバイス・モデ…
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