技術レター［ＬＳＩ設計］〜読み出し回数を１４ケタ 向上させた強誘電体 メモリーを松下が開発
日経マイクロデバイス 第209号 2002.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第209号（2002.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全912字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （72kb） |
| 雑誌掲載位置 | 60ページ目 |
展示会強誘電体メモリー燃料電池 強誘電体メモリーや燃料電池，ＲＦモジュール。今後の携帯機器やディジタル家電に欠かせない新技術が「松下電器インダストリー総合展２００２」に登場した。 強誘電体メモリーは，読み出し回数を従来の１０１０回から１０２４回に向上させた６４Ｋビット品である。分極を反転させずに読み出す非破壊読み出し技術を確立した。早ければ２００３年を目標に，システムＬＳＩに集積した状態で製品化す…
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