技術レター［ＬＳＩ設計］〜進むフラッシュ・ メモリーの大容量化 ＮＡＮＤは４Ｇ，ＮＯＲは２５６Ｍ
日経マイクロデバイス 第209号 2002.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第209号（2002.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全474字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （72kb） |
| 雑誌掲載位置 | 59ページ目 |
フラッシュ・メモリー大容量化 フラッシュ・メモリーの大容量化が進んでいる。ＮＡＮＤ型では４Ｇビット品の共同開発，ＮＯＲ型では２５６Ｍビット品の発売がそれぞれ発表された。４Ｇビット品を共同開発するのは，東芝と米ＳａｎＤｉｓｋ Ｃｏｒｐ．である。両社は９０ｎｍプロセスと２ビット／セルの多値技術を組み合わせ，２００３年後半にサンプル出荷する。製品化は２００４年第１四半期の計画である。生産は両社の合弁会社…
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