技術レター［ＬＳＩ製造］〜産官学プロジェクトとは　別にＮＥＣと東芝が　ＭＲＡＭの共同開発に合意
日経マイクロデバイス　第208号　2002.10.1

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掲載誌	日経マイクロデバイス　第208号（2002.10.1）
ページ数	1ページ　（全440字）
形式	PDFファイル形式　（63kb）
雑誌掲載位置	54ページ目

ＭＲＡＭ研究・開発戦略　ＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｉｃ　ＲＡＭ）の共同開発でＮＥＣと東芝が合意した。６月に契約，９月にはＮＥＣ相模原事業場に両社の技術者２０人ずつが集結した。２００４年度末までに０．２５μｍルールの磁気抵抗素子と０．１８μｍルールのＣＭＯＳ技術を使って２５６Ｍビット級のＭＲＡＭの基盤技術を確立する。両社はこれまで独自に開発してきたが，手を組んで先行する米国勢を巻き返す。ＮＥＣは磁性体の…