μレポート［ＬＳＩ製造］〜１０ｎｍトランジスタや ６５ｎｍプロセスが登場する 「２００２ ＩＥＤＭ」
日経マイクロデバイス 第208号 2002.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第208号（2002.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全2032字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （98kb） |
| 雑誌掲載位置 | 34ページ目 |
トランジスタメモリー微細化ゲート長１０ｎｍと最短のフィン型トランジスタや６５ｎｍのＤＲＡＭ混載技術。新型メモリー開発の激化を反映した二つのメモリー・セッションの新設。２００２年１２月８日〜１１日に米国サンフランシスコで開かれる「２００２ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（２００２）」は，ロジックとメモリーの両方で注目の発表が目白押しだ。プレナリ・セッショ…
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