技術レター［ＬＳＩ製造］〜米Ｉｎｔｅｌの９０ｎｍ技術 独自方式の歪みＳｉと ＳｉＯＣ系ｌｏｗ−ｋ膜を導入
日経マイクロデバイス 第207号 2002.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第207号（2002.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全423字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （63kb） |
| 雑誌掲載位置 | 45ページ目 |
微細化プロセス工場 米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．は９０ｎｍプロセス技術の詳細を明らかにした。歪みＳｉを使ったゲート長５０ｎｍのトランジスタ技術を採用するほか，ＳｉＯＣ系の低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁膜をＣｕ配線と組み合わせる。歪みＳｉ技術は「東芝や米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．とは異なる独自方式を採用した」ということだけを明らかにしている。トランジスタのゲート絶縁膜厚は１．２ｎｍ，配線層数は７層である。ＡｒＦ…
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