技術レター［パッケージ＆ＦＰＤ］〜１２００ｃｍ２・Ｖ−１・ｓ−１の 高移動度を低温多結晶 Ｓｉ−ＴＦＴで実現
日経マイクロデバイス 第206号 2002.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第206号（2002.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全627字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （63kb） |
| 雑誌掲載位置 | 35ページ目 |
低温多結晶Ｓｉ研究・開発学会 移動度１２００ｃｍ２・Ｖ−１・ｓ−１の低温多結晶Ｓｉ−ＴＦＴを東京農工大学が開発し，この７月に開かれた学会「２００２ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｎ Ａｃｔｉｖｅ−Ｍａｔｒｉｘ Ｌｉｑｕｉｄ−Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ（ＡＭ−ＬＣＤ ’０２）」で詳細を発表した。１２００ｃｍ２・Ｖ−１・ｓ−１という値は，単結晶Ｓｉの移動度６００〜８００ｃｍ２・…
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