μレポート［ＬＳＩ製造］〜ＳｉＣの本領発揮へ　３Ｃ構造のウエーハ量産化
日経マイクロデバイス　第205号　2002.7.1

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掲載誌	日経マイクロデバイス　第205号（2002.7.1）
ページ数	1ページ　（全1009字）
形式	PDFファイル形式　（91kb）
雑誌掲載位置	129ページ目

部品・材料研究開発経営ＳｉＣが本領を発揮する可能性が出てきた。ＳｉＣという材料は，原理的に現在のＳｉより優れた性能を持つ。しかし，従来は欠陥が多く，ウエーハにする時に大口径化できなかった。このため，パワー素子での本格的な実用化やＳｉの置き換えは難しかった。この問題を解決する技術をＨＯＹＡが開発，その技術をビジネスに結び付けるためのベンチャを発足させた。２００４年までの３年間に２６億円を投資，２００…