μレポート［ＬＳＩ設計］〜システムＬＳＩで主役の　組み込みメモリー　王道の信頼性向上に挑む
日経マイクロデバイス　第205号　2002.7.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第205号（2002.7.1）
ページ数	1ページ　（全1043字）
形式	PDFファイル形式　（94kb）
雑誌掲載位置	128ページ目

システムＬＳＩメモリー信頼性メモリーを大容量化したときの課題である信頼性を，従来に比べて二ケタ向上できる。このような組み込みメモリー技術「１Ｔ−ＳＲＡＭ−Ｒ」を米ＭｏＳｙｓ　Ｉｎｃ．が開発した。コストも下がることから今後，同社の１Ｔ−ＳＲＡＭはすべて今回の技術に置き換わっていく方向である。　２０１１年には，システムＬＳＩのチップ面積の９０％がメモリーになる（図１）。この時は，メモリーがチップの特徴…