技術レター[LSI設計&LSI製造]〜キヤノンと米AMATの共同開発 成果はテクノロジ・センターから ソリューションとして提供
日経マイクロデバイス 第204号 2002.6.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第204号(2002.6.1) |
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ページ数 | 1ページ (全319字) |
形式 | PDFファイル形式 (63kb) |
雑誌掲載位置 | 35ページ目 |
共同開発製造装置ソリューション キヤノンと米Applied Materials, Inc.(AMAT)が発表した130〜70nmプロセスの共同開発の詳細が明らかになった。期間は2003年までであり,まずゲートや配線向けの130〜100nmプロセス,その後70nmプロセスを開発する。このためにAMATはキヤノンから300mmウエーハ対応のKrFエキシマ・レーザー露光装置とArFエキシマ・レーザー露光…
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