技術レター［ＬＳＩ設計＆ＬＳＩ製造］〜米ＩｎｔｅｌがＡｒＦ露光を　６５ｎｍノードまで延命　課題はマスク・コスト
日経マイクロデバイス　第204号　2002.6.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第204号（2002.6.1）
ページ数	1ページ　（全560字）
形式	PDFファイル形式　（63kb）
雑誌掲載位置	35ページ目

学会露光マスク微細化　米Ｉｎｔｅｌ　Ｃｏｒｐ．は，２００５年に量産を開始する６５ｎｍノードの露光技術として，ＡｒＦエキシマ・レーザー露光の延命技術を開発することを明らかにした。４月に開かれた「Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　ｏｎ　Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ　ａｎｄ　ＮＧＬ　Ｍａｓｋ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ＩＸ（Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ　Ｊａｐａｎ　２００２）」のオープニング・セッションで示した。同社はこれまで，６５ｎｍノー…