技術レター［パッケージ＆ＦＰＤ］〜高機能回路内蔵へ前進 しきい電圧バラつき１／４で ４８０ｃｍ２・Ｖ−１・ｓ−１を実現
日経マイクロデバイス 第204号 2002.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第204号（2002.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全421字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （63kb） |
| 雑誌掲載位置 | 37ページ目 |
ＬＳＩ設計低温多結晶ＳｉＴＦＴ学会 メモリーやインタフェース，センサーなど高機能回路の液晶パネルへの一体化に道を開く技術を，日立製作所が開発した。低温多結晶Ｓｉ薄膜の新しい結晶化技術を開発し，ＴＦＴのしきい電圧バラつきを従来の１／４に抑えながら，電子移動度を平均値で４８０ｃｍ２・Ｖ−１・ｓ−１に上げた。しきい電圧バラつきの抑制及び移動度の向上のためには，チャネル領域を移動するキャリヤが粒界で散乱さ…
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